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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
太陽能電池專業(yè)光譜成像及特性分析系統(tǒng)
太陽能電池是一種通過光電效應(yīng)或光化學(xué)反應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化為電能裝置。由于太陽能是一種清潔能源，因此光伏技術(shù)近年來備受關(guān)注。光伏材料的轉(zhuǎn)換效率隨著技術(shù)的發(fā)展也有了顯著的提高。例如自從2009年日本科學(xué)家Miyasaka*報道鈣鈦礦太陽能電池以來，在短短的幾年內(nèi)，鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率從3.8%上升到22.7%。盡管鈣鈦礦電池擁有諸多優(yōu)點，但是由于材料的不均一性和無法低成本大規(guī)模生產(chǎn)限制了鈣鈦礦電池的發(fā)展。為了解決這些問題，研究人員需要高性能和專業(yè)的測試工具研究材料性能的空間分布。太陽能電池光譜成像及特性分析系統(tǒng)
為了解決這些問題，加拿大Phonton 公司和法國光電能源研究和發(fā)展研究所為太陽能電池分析共同研發(fā)了高光譜成像設(shè)備（IMA™）。基于*的體布拉格光柵濾波片技術(shù)，采用革新的二維成像技術(shù)，不同于常規(guī)的熒光成像設(shè)備，這是一款一次性可全視野成像的設(shè)備，可快速獲得鈣鈦礦電池的熒光成像和電致發(fā)光成像，用于研究產(chǎn)品的缺陷、約束條件和光電特性的。太陽能電池光譜成像及特性分析系統(tǒng)
與傳統(tǒng)的共聚焦顯微成像設(shè)備相比，高光譜成像設(shè)備擁有以下優(yōu)勢：
1） 單次整視場成像。與常規(guī)的共聚焦顯微鏡需要逐點掃描或逐行推掃所不同，該高光譜成像系統(tǒng)允許在顯微鏡下獲取整個視場不同波長的像。使用百萬像素相機，通過濾波后圖像的采集可提供樣品表面數(shù)百萬個點上的光譜信息。這種成像方式將打打減小圖像采集時間，與傳統(tǒng)成像方式比較時間將減少2-3個數(shù)量級。例如，采集150′150μm2光譜信息，使用高光譜成像設(shè)備只需要大概8分鐘，但是使用常規(guī)共聚焦設(shè)備需要幾百個小時才能完成。
2） 在PL成像實驗中該系統(tǒng)的激發(fā)光源在視野中的強度是均勻分布的。在傳統(tǒng)的共聚焦設(shè)備中，激發(fā)光源是聚焦在一個點上（~1μm2），這將導(dǎo)致載流子向沒有激光照射的區(qū)域遷移造成載流子復(fù)合，使的PL信號明顯降低，需要將激發(fā)光的功率提高到 1000個太陽的光照這與光伏材料的工作環(huán)境嚴(yán)重不符，并對結(jié)果的提取與解釋帶來諸多影響。由于高光譜成像設(shè)備的光源是均勻的照射到樣品上的，因此避免了上述情況，并且光源功率可從1-500個太陽的光照可調(diào)。
3） 可獲得光譜強度的定量值。PL（photoluminescence）和EL（Electroluminescence）包含了材料或器件的諸多信息，但是傳統(tǒng)熒光技術(shù)表征提供的數(shù)據(jù)單位都是arbitrary units， 這并不是一個定量的數(shù)值，這將大大限制了對光譜結(jié)果的深度挖掘。為了解決該問題，IRDEP和Photon 研發(fā)了定量校準(zhǔn)辦法，使該高光譜設(shè)備可以確定在固定能量的激發(fā)光下，樣品每個點發(fā)射光子的定量數(shù)值。通過這種校準(zhǔn)，研究人員可進一步探究普朗克定律，和太陽能電池的外部量子效率（EQE）和在給定電壓下電致發(fā)光的相互關(guān)系。以及Voc和飽和電流等。
如圖2 顯示了CIS樣品的光致發(fā)光圖像，其中使用的激發(fā)光波長為532nm。整視野成像可以快速探測樣品空間上不均勻性，通過該技術(shù)研究人員可以監(jiān)控不同屬性在空間上的分布。圖1，為圖2上所選區(qū)域的光譜信息。此外，通過光譜的定量校正還可以得到設(shè)備的光電特性（例如：EQE， Voc等）
我們主要利用高光譜設(shè)備探究了CIGS太陽能電池的光致發(fā)光光譜成像（532nm，激光強度為580個太陽輻射）和電致發(fā)光光譜成像（使用源表，Vapp = 0.95 V.）。圖1，顯示了CIGS的PL和EL光譜，并通過定量校正，結(jié)合廣義普朗克定律分別獲得了準(zhǔn)費米能級分裂Δμeff，并利用太陽能電池和LEDS之間的相互關(guān)系，通過EL圖譜可以推到出EQE，等信息。
在固定能量的激發(fā)光下，樣品每個點發(fā)射光子的定量數(shù)值，這一功能可以是科研人員可以從PL圖像中直接獲得太陽能電池的準(zhǔn)費米能級分裂圖Δμeff。準(zhǔn)費米能力具有重要意義，因為它與電池的電壓和飽和電流相關(guān)。如圖1，為GaAs的準(zhǔn)費米能級分裂Δμeff/q 的二維圖，這是利用GaAs太陽能電池的定量光致發(fā)光圖譜根據(jù)廣義普朗克定律計算出來。測量的準(zhǔn)費米能級分裂為Δμeff= 1.1676±0.010eV，在電接觸附近（圖1中間的垂直藍線）和電池的外部邊界附近有稍微下降。結(jié)果與之前的GaAs文獻中的研究結(jié)果*。
近年來，以CH3NH3PbI3為代表的具有鈣鈦礦晶型的有機金屬鹵化物在光電領(lǐng)域的應(yīng)用吸引了廣泛的研究興趣。作為一種新興的半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換材料，它具有高消光系數(shù)(105 cm-1)、長載流子壽命(~μs)、低缺陷態(tài)濃度、低激子束縛能以及可低成本溶劑制備等諸多優(yōu)點?；谠擃惒牧系谋∧ぬ柲茈姵?鈣鈦礦太陽能電池) 的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)超過22%，超過了多晶硅太陽能電池，具有較好的應(yīng)用前景。同時，該材料在光電探測、發(fā)光、高能射線探測及非線性光學(xué)等方面均展現(xiàn)出良好的性能，成為光電物理、材料(器件)物理和化學(xué)等交叉領(lǐng)域的研究熱點。但是關(guān)于鈣鈦礦電池的諸多工作機制還不是很清楚，因此利用高光譜成像設(shè)備研究了CH3NH3PbI3太陽能電池的主要性能，進行了空間和光譜分辨的EL和PL成像。EL采用源表施加的電壓范圍是1.05至1.2V，PL使用的是532nm的激光（約30個太陽輻射）。通過定量校準(zhǔn)，從EL和PL光譜直接獲得了準(zhǔn)費米能級分裂和電子傳輸效率，如下圖所示。
圖2 為鈣鈦礦材料的透射率成像
產(chǎn)品參數(shù)：
AL RANGE | VIS - SWIR Model | |
VIS | SWIR | |
SPECTRAL RESOLUTION | < 2.5 nm | < 4 nm |
CAMERA | CCD, EMCCD, sCMOS | ZephIR 1.7 |
EXCITATION WAVELENGTHS | 405, 447, 532, 561, 660, 730, 785 or 808 nm | |
MICROSCOPE | Upright or Inverted; Scientific Grade | |
SPATIAL RESOLUTION | Sub-micron | |
MAXIMUM SAMPLE SIZE | 10 cm x 10 cm | |
X, Y TRAVEL RANGE | 76 mm x 52 mm | |
Z-STAGE RESOLUTION | 100 nm | |
ILLUMINATION | Diascopic, Episcopic, LED, HG, | |
WAVELENGTH ABSOLUTE ACCURACY | 0.25 nm | |
VIDEO MODE | Megapixel camera for sample visualization | |
DATA PROCESSING | Spatial filtering, statistical tools, spectrum extraction, data normalization, spectral calibration, overlay, central position map, etc. | |
HYPERSPECTRAL DATA FORMAT | HDF5, FITS | |
SINGLE IMAGE DATA FORMAT | HDF5, CSV, JPG, PNG, TIFF | |
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